Đăng nhập|Đăng ký

Giỏ hàng mini

Hiện bạn không có sản phẩm nào trong giỏ hàng.
Vào giỏ hàng

Thời gian đăng: 02-04-2014 10:48 | 600 lượt xemIn bản tin

Intel phát hành ổ SSD thế hệ thứ 3 cho trung tâm dữ liệu

 

Ổ SSD DC S3700 mới có các tụ điện điện phân, đảm bảo cho tiến trình ghi không bị ảnh hưởng khi mất điện. Hôm 5/11/2012, Intel đã công bố loạt ổ lưu trữ SSD lớp doanh nghiệp thế hệ thứ 3 (DC S3700), tăng hiệu suất ghi tuần tự tối đa thêm 15 lần, tăng hiệu suất đọc lên 2 lần so với thế hệ thứ 2 (SSD 710).

Giá mỗi igabyte của ổ SSD DC S3700 mới cũng giảm 40% so với mỗi gigabyte của ổ SSD 710 còn độ bền của SSD mới thì tăng gấp đôi. Ông Roger Peene - giám đốc tiếp thị SSD cho trung tâm dữ liệu của Intel - lấy ví dụ, model 800GB của DC S3700 có thể duy trì ghi 8TB mỗi ngày trong 5 năm liền.

Cũng như SSD 710, DC S3700 sử dụng chip flash NAND MLC (multi-level cell) bên trong ổ 2,5-inch với mạch ghép nối SATA (serial ATA) 3.0. SSD DC 3700 có dung lượng từ 100GB đến 800GB.

Ngoài ổ 2,5-inch, loạt SSD DC S3700 mới (’DC’ là viết tắt của data center - trung tâm dữ liệu, và ’S’ là cho SATA) còn có thêm dạng ổ 1,8-inch. Intel dự đoán, tuổi thọ (MBTF) của DC S3700 là 2 triệu giờ. Intel cũng đã thêm firmware CRC (cyclic redundancy check) và xác nhận LBA (logical block address) cho DC S3700.

Loạt SSD DC S3700 mới có tốc độ đọc tuần tự tối đa 500MB/giây, tốc độ ghi tuần tự lên đến 460MB/giây. Với các khối dữ liệu 4KB, SSD DC S3700 cung cấp tốc độ đọc ngẫu nhiên 75.000 IOPS (Input/Output Operations per Second - hoạt động vào/ra mỗi giây) và tốc độ ghi ngẫu nhiên 36.000 IOPS). Ông Peene nói, DC S3700 có độ trễ ghi khoảng 65 icro giây và độ trễ đọc dưới 500 micro giây.

Bình luận

Danh mục sản phẩm
Thống kê
Tổng truy cập
Trong tháng
Trong tuần
Trong ngày
Trực tuyến